בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
BTS244Z E3062A
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BTS244Z E3062A-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-62
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 35A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount PG-TO220-5-62
מלאי:
בקשת מחיר מקוונת
12801926
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BTS244Z E3062A מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
TEMPFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 130µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
130 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2660 pF @ 25 V
תכונת FET
Temperature Sensing Diode
פיזור כוח (מרבי)
170W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-5-62
חבילה / מארז
TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
BTS244Z E3062A
גיליון נתונים של HTML
BTS244Z E3062A-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000399004
BTS244ZE3062A
BTS244ZE3062AT
BTS244ZE3062ANT
BTS244Z E3062A-DG
BTS244ZE3062AATMA1
SP000012180
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
BTS244ZE3062AATMA2
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1681
DiGi מספר חלק
BTS244ZE3062AATMA2-DG
מחיר ליחידה
2.57
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSS169 E6327
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
BSC019N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
IPL60R115CFD7AUMA1
HIGH POWER_NEW
BSC0908NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 14A/49A TDSON